三星突袭，全球首款3nm芯片杀到

　　原标题：三星突袭，全球首款3nm芯片杀到

 

　　举世瞩目的高端芯片之战，再度点燃！

 

　　最近在IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星亮出全球首款采用3nm工艺制造的SRAM存储芯片。

　　这款芯片容量可达256GB，面积仅56平方毫米，性能比上一代提升30%，功耗最多可降低50%，不出意外的话明年即可量产。

 

　　三星首秀3nm芯片精准卡位台积电，这背后意义重大。

 

　　在芯片制造领域，台积电向来一家独大， 的5nm工艺横扫天下，三星也只是勉强追平，前浪英特尔则完全被甩开。

 

　　作为旧时代IDM双杰之一，三星对此一直无法接受，所以在2019年启动“半导体2030计划”，计划10年内投资133万亿韩元（约7900亿元）成为全球最大的半导体公司，先进制程为规划重点，目标就是赶超台积电。

 

　　如今3nm芯片一触即发，三星能否超越台积电重登王座，坎坷的中国半导体又将走向何方？

 

　　谈及高端芯片之争，必须先理清三星、台积电以及英特尔的关系。

 

　　半导体行业经过几十年发展，产业链各环节已非常成熟，上游材料设备，中游设计、制造，下游封测等环节分工明确，强者辈出。

 

　　唯独三星、英特尔不同，这两是全球仅存的IDM巨头（集设计、制造、封测三大环节于一体），基本不用依赖别人。

 

　　在很长时间里，全球芯片铁王座就是这两来回争，直到台积电异军突起，两极格局彻底被打破。