中国芯重大突破，7nm级别芯片流片成功，中国大陆自己制造的

　　原标题：中国芯重大突破，7nm级别芯片流片成功，中国大陆自己制造的

 

　　先上一张当前几大主流的芯片厂商的工艺流程图，如图所示，台积电2020年实现了5nm，三星在2020年晚一些时候，应该也能实现5nm。

 

　　所以，这张图的意思是告诉大家，当前只有两大厂商，进入到了10nm以下，那就是台积电、三星，而intel今年才进入到10nm。而中国大陆当前最好的成绩是14nm，也没有进入到10nm。

　　这中间也要注意的是，格芯、联电在2017年之后，就基本停止对工艺制程的研发了，保持住在10nm以上的水平了。

 

　　可以说10nm工艺是一个分水岭，谁能够达到10nm或以下工艺，代表的就是 的工艺了，未来或许也就4家厂商有这个水平，台积电、三星、intel、中芯。

 

　　不过近日，中国芯传出一则好消息，那就是芯动科技表示，全球首款基于中芯 FinFET N+1先进工艺芯片流片成功。

 

　　这可以说是中国芯的一个重大突破了，因为这代表着中国大陆自己也能够制造7nm级别的芯片，将技术突破到了10nm以下了。

 

　　为何这么说，N+1工艺是在中芯当前14nm的基础之上，性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。

 

　　这个技术指标，与台积电的7nm工艺是相差不大的，最多性能提升稍差了一点，但也可以视为7nm级别的芯片了，毕竟逻辑密度是最重要的一个指标。