三星今年会完成3nm GAE工艺的开发

　　原标题：三星今年会完成3nm GAE工艺的开发

 

　　由于在7nm节点激进地采用了EUV工艺，三星的7nm工艺量产时间比台积电要晚了一年，目前采用高通的骁龙765系列芯片使用三星7nm EUV工艺量产。在这之后，三星已经加快了新工艺的进度，日前6nm工艺也已经量产出货，今年还会完成3nm GAE工艺的开发。

 

　　在进入10nm节点之后，半导体工艺制造越来越困难，但需求还在不断提升，这就导致台积电、三星把不同的工艺改进下就推出新工艺了，而三星的6nm工艺实际上也就是7nm工艺的改进版，在7nm EUV基础上应用三星独特的Smart Scaling方案，可以大大缩小芯片面积，带来超低功耗。

 

　　消息人士透露，三星晶圆制造业务的高管已经确认6nm工艺的芯片出货量产，交付给北美的客户——虽然三星官方没有提及具体信息，但这个北美客户应该是高通公司，目前还不确定是哪款芯片。

　　如果6nm成功量产，那三星手里现在进入真正量产阶段的工艺就有7nm EUV、6nm LPP两种了，可以更好地从台积电手中抢市场了。

 

　　在6nm之后，三星还希望今年推出5nm EUV工艺，台积电也是预定今年上半年量产5nm EUV工艺的，这样一来三星总算上追上台积电的工艺进度了，不过三星依然没有公布5nm的客户是谁。

 

　　三星真正有希望超越台积电的工艺是3nm，他们是第一家官宣使用全新GAA晶体管的，在3nm节点将会用GAA环绕栅极晶体管取代FinFET晶体管，三星希望2021年量产3nm工艺，而今年上半年完成3nm工艺开发。