Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％！

　　原标题：Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％！

　　6月20日消息，Intel官方宣布，Intel 3工艺(相当于3nm级别)已经投入大规模量产，用于至强6 Sierra Forest能效核版本、Granite Ridge性能核版本，下半年陆续登场，但不会用于酷睿。

　　Intel 3作为现有Intel 4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2V电压的超高性能应用，不但用于自家产品，还首次开放对外代工，未来多年会持续迭代。

　　首先强调，Intel 3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场，重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等，还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压，以实现最大负载。

　　为了获得性能、密度的最佳均衡，Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合——Intel 4只有前者。

　　客户如果有不同需求，还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择：14层的成本最低，18层的性能和成本最均衡，21层的性能最高。

　　此外，Intel 3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。

　　最终的结果是，Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下，相比Intel 4带来最多18％的提升！

　　Intel之前还曾表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。

　　不过在关键尺寸方面，Intel 3、Intel 4是基本一致的，接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm，鳍片间距、M0间距都是30nm，另外库高度 x CPP的面积除了12K，还增加了10.5K版本，也是为了优化性能和成本平衡。

　　Intel 3后续还会优化推出不同的版本，针对性加强某个角度：

　　Intel 3-T：重点引入采用硅通孔(TSV)技术，针对3D堆叠进行优化。

　　Intel 3-E：扩展更多功能，比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等，可用于生产芯片组、存储芯片等。

　　Intel 3-PT：在3-E的基础上，增加9微米间距的硅通孔，以及混合键合，性能再提升至少5％，使用也更简单，可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。